1 Beschreibung des Bändermodells

2 Die Raumladungszone im pn-Übergang

3 Berechnung des Spannungsabfalls einer Diode

4 Bestimmung des Arbeitspunkts und der Leistung einer Diode

5 Dimensionierung des Vorwiderstands einer Zenerdiode

6 Einsatz einer Zenerdiode zur Spannungsstabilisierung

7 Ermittlung der Betriebsgrenzen einer Zenerdiode

8 Einsatz einer Diode zur Leistungsreduzierung

9 Spannungsverlauf in einer Brückengleichrichterschaltung

10 Berechnung des Vorwiderstands einer LED

11 Identifikation eines Bauteils anhand des Schaltzeichens

12 Ermittlung von Basis-Emitter-Spannung und Basisstrom

Gegeben ist die abgebildete Transistorschaltung mit den folgenden Parametern: \(U_0=\mathrm {5\,V}\) , \(U_L=\mathrm {15\,V}\), \(R_\mathrm {V}=\mathrm {100\,k\Omega }\) und \(R_\mathrm {V}=\mathrm {500\,\Omega }\).

13 Berechnung der Widerstände einer Transistorschaltung

14 Schaltverhalten eines Transistors

15 Transistorschaltung mit LED

16 Analyse des Arbeitsbereichs eines Transistors

17 Berechnungen in einer Transistorschaltungen

18 Berechnung der Stromverstärkung einer Transistorschaltung

19 Verhalten eines Transistors bei Wechselspannung

20 Erstellung eines Kleinsignal-Ersatzschaltbilds

21 Erstellung eines Kleinsignal-Ersatzschaltbilds

22 Bestimmung der Gate-Source-Spannung eines Feldeffekttransistors

23 Untersuchung des Stromflusses im Feldeffekttransistor (FET)

24 Interpretation der Kennlinie eines Sperrschichttransistors

25 Erkennung von Dotierungsmustern bei Transistoren

26 Erklärung des Funktionsprinzips der CMOS-Technologie

27 Transistor-Verbundverstärker

28 Gleichrichterschaltung

29 Untersuchung eines einfachen Gleichrichters

30 Analyse einer Spannungsverdoppler-Schaltung

31 Differentieller Widerstand einer Diode

32 Grundverhalten eines NPN-Bipolartransistors

33 Zeichnung und Berechnung einer Kollektorschaltung